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J-GLOBAL ID：200903016245695011

可飽和ブラッグ反射器を含む反射鏡を有する半導体レーザ

Inventor： ウー, ミン, シー. ,  シェン, ジーリン.
Applicant, Patent owner： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
Agent (1)： 長谷 照一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001505117
Publication number (International publication number)：2003521106
Application date： Jun. 21, 2000
Publication date： Jul. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 1000フェムト秒未満の短パルスを発生可能なレーザを提供する。【解決手段】 半導体レーザ(10)と、可飽和ブラッグ反射器(22)を備えた反射ミラーを有する光共振キャビティとを備えてなる、1000フェムト秒未満の短パルスを発生可能なレーザである。一つの実施態様では、光共振キャビティは外部キャビティ(24)であり、第二の実施態様では、それは内部キャビティである。内部キャビティは、内部キャビティ内の一対の回折ブラッグ反射器(50および52)の間に配置された反共振ファブリ-ペロ可飽和吸収体(46)を含んでいる。レーザ(44)は、さらに、光を内部キャビティ内の反共振ファブリ-ペロ可飽和吸収体(46)に向けて導く傾斜したモノリシックミラー(56)を含んでなる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザと、 可飽和ブラッグ反射器を含む反射ミラーを有する光共振キャビティとを備えてなる1000フェムト秒未満の短パルスを発生可能なレーザ。

IPC (3)：

H01S 5/065 ,  H01S 5/125 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01S 5/065 ,  H01S 5/125 ,  H01S 5/343

F-Term (10)：

5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073BA08 ,  5F073BA09 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• モード同期半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-260254   Applicant：日本電気株式会社
• モード同期レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007132   Applicant：株式会社日立製作所
• 可飽和ブラッグ反射器構造とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-111684   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 極超短光パルスの発生方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-183280   Applicant：クセルト-セントロ・ステユデイ・エ・ラボラトリ・テレコミニカチオーニ・エツセ・ピー・アー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Ultra High Speed Photonic Devices for Tbit/sec Systems
• Solid-state low-loss intracavity saturable absorber for Nd:YLF lasers: an antiresonant semiconductor
• Ultra High Speed Photonic Devices for Tbit/sec Systems