多結晶シリコン薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷川昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999227388
Publication number (International publication number)：2000195810
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】比較的低温下で安価に、生産性よく多結晶シリコン薄膜を形成できる多結晶シリコン薄膜形成方法を提供する。【解決手段】シリコン原子を有する材料ガスと水素ガスとの混合ガスから又はシラン系反応ガスからプラズマを形成し、該プラズマ中のSiH* ラジカルの発光強度に対する水素原子ラジカル(Hβ)の発光強度比が1以上になるように、或いはさらにプラズマポテンシャルが60V以下になるように該プラズマ状態を制御し、該プラズマのもとで基板に多結晶シリコン薄膜を形成する多結晶シリコン薄膜形成方法とその薄膜形成装置。

Claim (excerpt)：

シリコン原子を有する材料ガスと水素ガスとの混合ガスから、又はシラン系反応ガスからプラズマを形成し、該プラズマ中のSiH* ラジカルの発光強度に対する水素原子ラジカル(Hβ)の発光強度比が1以上になるように該プラズマ状態を制御し、該プラズマのもとで基板に多結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , H05H 1/00

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , H05H 1/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体及びTFT-LCDの製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-276046 Applicant：大見忠弘
マイクロ波プラズマCVD装置及びCVD方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-089059 Applicant：キヤノン株式会社
特開昭58-172218

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