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J-GLOBAL ID：200903016296938520

強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置

Inventor： 原 慎太郎 ,  松原 正吾 ,  中野 貴徳 ,  西村 和夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001312145
Publication number (International publication number)：2003118104
Application date： Oct. 10, 2001
Publication date： Apr. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高い圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜が成膜できる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを得る。【解決手段】 Pb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、相対密度が85%以上、0.3<Zr<0.8(Zr+Ti=1)、且つ1.0<Pb/(Zr+Ti)<1.5とする。

Claim (excerpt)：

Pb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、相対密度が85%以上、0.3<Zr<0.8(Zr+Ti=1)、且つ1.0<Pb/(Zr+Ti)<1.5であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (6)：

B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C23C 14/34 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18

FI (6)：

C23C 14/34 A ,  H01B 3/12 301 ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 U

F-Term (20)：

2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G303AA10 ,  5G303AB01 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA09 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-353263   Applicant：株式会社日立製作所, 真空冶金株式会社
• 圧電体素子およびその製造方法ならびにそれを用いたインクジェット式プリンタヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-326947   Applicant：株式会社関西新技術研究所
• 強誘電体薄膜の構造及びその化学的気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-009693   Applicant：日産自動車株式会社