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J-GLOBAL ID：200903052061766575

誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： 酒井 芳男 ,  西原 晋治 ,  加藤 久幸 ,  小寺 正裕 ,  大城 正晴 ,  野沢 義晴
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  真空冶金株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996353263
Publication number (International publication number)：1998176264
Application date： Dec. 16, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】電気的特性が均一で、かつ、異物の付着の少ない誘電体薄膜を形成しうる誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明の誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットは、化学式ABO3 で表されるペロブスカイト型の一体型成形のスパッタリングターゲットであって、Bに少なくともチタン(Ti)を含み、相対密度が95%以上で、かつ、直径が300mm以上500mm以下であることを特徴とする。Aとしては、鉛(Pb)が好ましく、Bにジルコニウム(Zr)を含むことが好ましい。また、湿式の研削及び研磨によってターゲットの表面粗さ(RY)が10μm以下となるように構成される。

Claim (excerpt)：

化学式ABO3 で表されるペロブスカイト型のスパッタリングターゲットであって、Bに少なくともチタン(Ti)を含み、相対密度が95%以上で、かつ、直径が300mm以上500mm以下であることを特徴とする誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (6)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/49 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (6)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/31 D ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/49 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 耐熱衝撃性のすぐれたスパッタリング焼結ターゲット材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-216971   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-208657   Applicant：株式会社日立製作所
• 耐割損性のすぐれた半導体装置の誘電薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲット材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-171123   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-114614   Applicant：三菱マテリアル株式会社