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J-GLOBAL ID：200903016363258424

低抵抗複合導体およびその製造方法

Inventor：
森田 充

About 森田 充


Applicant, Patent owner：
新日本製鐵株式会社

About 新日本製鐵株式会社


Agent (1)： 萩原 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002199957
Publication number (International publication number)：2003173718
Application date： Jul. 09, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 実質的に電気抵抗の極めて小さい複合導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 超伝導体と常伝導導体を接続してなる複合導体であって、該超伝導体の超伝導転移温度以下における該複合導体の見かけ上の比抵抗が、前記温度における銅の比抵抗より低いことを特徴とする超伝導体を用いた低抵抗複合導体。
Claim (excerpt)：
常伝導導体表面の一部又は全体に少なくとも1個の超伝導体を接続してなる複合導体であって、前記超伝導体の超伝導転移温度以下における前記複合導体の見かけ上の比抵抗が、前記温度における銅の比抵抗より低いことを特徴とする低抵抗複合導体。
IPC (5)：
H01B 12/02 ,  H01B 5/02 ZAA ,  H01B 13/00 501 ,  H01B 13/00 561 ,  H01L 39/04
FI (5)：
H01B 12/02 ,  H01B 5/02 ZAA Z ,  H01B 13/00 501 C ,  H01B 13/00 561 Z ,  H01L 39/04
F-Term (17)：
4M114AA11 ,  4M114BB04 ,  4M114CC03 ,  4M114CC18 ,  4M114DB62 ,  5G307CA03 ,  5G307CB02 ,  5G307CC02 ,  5G307CC03 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321BA05 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321DB02 ,  5G321DB47 ,  5G321DB48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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