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J-GLOBAL ID：200903027697250523

低抵抗導体およびその製造方法並びにこれを用いた電気部材

Inventor：
森田 充

About 森田 充


Applicant, Patent owner：
新日本製鐵株式会社

About 新日本製鐵株式会社


Agent (1)： 萩原 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001277050
Publication number (International publication number)：2002289049
Application date： Sep. 12, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 実質的に電気抵抗の小さい導体およびこれを用いた応用機器を提供する。【解決手段】 複数の超伝導体を常伝導接続してなる導体であって、該超伝導体の超伝導転移温度以下における、該導体の見かけ上の比抵抗が、銅の比抵抗より低いことを特徴とする超伝導体を用いた低抵抗導体。このような導体を用いた低損失のコイル、トランス、ケーブル等の応用機器が可能となる。
Claim (excerpt)：
複数の超伝導体を常伝導接続してなる導体であって、前記超伝導体の超伝導転移温度以下における前記導体の見かけ上の比抵抗が、前記温度における銅の比抵抗より低いことを特徴とする超伝導体を用いた低抵抗導体。
IPC (5)：
H01B 12/02 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01R 4/68
FI (5)：
H01B 12/02 ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01R 4/68
F-Term (14)：
4G047JA02 ,  4G047JC02 ,  4G047KB05 ,  4G047KB13 ,  4G047KB17 ,  4G047LA01 ,  4G047LB03 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321AA07 ,  5G321CA04 ,  5G321CA46 ,  5G321CA48 ,  5G321DA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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