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J-GLOBAL ID：200903016366120474

基板処理方法及び基板処理装置

Inventor： 戸島 孝之 ,  上野 欽也 ,  山坂 都 ,  堤 秀介 ,  飯野 正
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 萩原 康司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999323869
Publication number (International publication number)：2001110772
Application date： Nov. 15, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高い処理能力を得ることができる,基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWを洗浄する方法であって,純水の液膜31をウェハWの表面に形成する一方で,純水の液膜31にオゾンガス20を溶解させてオゾン水の液膜32を生成してウェハWの表面に形成されたレジスト膜30を除去する。洗浄装置1は,このような洗浄方法を好適に実施することができる。

Claim (excerpt)：

基板を処理する方法であって,溶媒の液膜を基板の表面に形成する工程と,前記溶媒の液膜に処理ガスを溶解させて基板を処理する工程とを有することを特徴とする,基板処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 647 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (4)：

H01L 21/304 645 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

F-Term (6)：

2H096AA25 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F046MA01 ,  5F046MA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 基板の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252139   Applicant：住友金属工業株式会社
• シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264596   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体ウエハの洗浄・乾燥方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041718   Applicant：三菱電機株式会社