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J-GLOBAL ID：200903016402651643

層間絶縁膜の形成方法

Inventor：
青井 信雄

About 青井 信雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999208551
Publication number (International publication number)：2001035843
Application date： Jul. 23, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 層間絶縁膜における脱ガス現象を発生し難くして、耐熱性に優れた層間絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】 3.0ml/minのメチルトリエトキシシラン(CH3Si(OC2H5)3)と、希釈ガスとしての1000sccmのアルゴンガスとを処理室に導入する。処理室の圧力を1.5Torrに保った状態で、処理室内において、基板を保持する試料台と対向する上部電極に13.56MHzの高周波電力を600Wのパワーで印加する。基板温度を400°Cに設定して、300nm/minの堆積レートで成膜したところ、3.1の比誘電率を有する有機無機ハイブリッド膜が得られた。
Claim (excerpt)：
アルコキシル基、及びシリコンと結合した有機基を有する有機アルコキシシランをプラズマ重合させて有機無機ハリブリッド膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/31 Z ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P
F-Term (27)：
5F033QQ00 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC16 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045HA11 ,  5F045HA16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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