層間絶縁膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997227736
Publication number (International publication number)：1998284486
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】有機SOG膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。【課題を解決するための手段】一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。R1 がフェニル基である有機シリコン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン又はジフェニルジメトキシシランが挙げられ、R1 がビニル基である有機シリコン化合物としては、ビニルトリメトキシシラン又はジビニルジメトキシシランが挙げられる。

Claim (excerpt)：

一般式:R1xSi(OR2 )4-x (但し、R1 はフェニル基又はビニル基であり、R2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X , H01L 21/90 K , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリカ絶縁膜及び半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-150762 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-043696 Applicant：三菱電機株式会社
低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-022701 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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