窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000304615
Publication number (International publication number)：2001156332
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 p型層、あるいはn型層の結晶性を損なうことなく製造することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板上にn型層及びp型層が順に積層されて、予めn型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にn型層及びp型層が順に積層されて、予めn型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/301 , H01S 5/02 , H01S 5/323

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01S 5/02 , H01S 5/323 , H01L 21/78 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-342584 Applicant：旭化成工業株式会社
特開昭64-064811
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-352259 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-342584 Applicant：旭化成工業株式会社
特開昭64-064811
特開平4-242985

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