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J-GLOBAL ID：200903016597568338

有機半導体メモリとその情報記録、再生、消去方法

Inventor： 辻岡 強 ,  入江 正浩 ,  中村 振一郎
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 大阪教育大学 ,  三菱化学株式会社
Agent (3)： 星野 哲郎 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006243230
Publication number (International publication number)：2008066533
Application date： Sep. 07, 2006
Publication date： Mar. 21, 2008
Summary：

【課題】フォトクロミック化合物を利用した有機半導体メモリにおいて、情報の記録、再生、消去の全ての処理を電気的に行うことのできる有機半導体メモリを提供する。【解決手段】記録層と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを有する有機半導体メモリであって、前記記録層が、フォトクロミック化合物であるジアリールエテン誘導体を含有するものであることを特徴とする有機半導体メモリとする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

記録層と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とを有する有機半導体メモリであって、前記記録層が、フォトクロミック化合物であるジアリールエテン誘導体を含有するものであることを特徴とする有機半導体メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  G11C 16/02

FI (5)：

H01L27/10 449 ,  H01L29/28 100B ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 612E ,  G11C17/00 613

F-Term (15)：

5B125BA00 ,  5B125CA08 ,  5B125DA09 ,  5B125DB12 ,  5B125DC12 ,  5B125FA05 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-162497   Applicant：三菱化学株式会社

Cited by examiner (4)

• 導電路形成層、光応答素子、および光応答装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-330294   Applicant：ソニー株式会社
• 特願2006-087591
  Application number：特願2006-087591  
• 特開平4-137666
  
• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-162497   Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フォトクロミックジアリールエテンを用いた有機分子メモリ特性の素子構造依存性 Organic molecular memory