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J-GLOBAL ID：200903041923146923

導電路形成層、光応答素子、および光応答装置

Inventor： 石岡 裕輝 ,  崔 明錫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006330294
Publication number (International publication number)：2008091847
Application date： Dec. 07, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：

【課題】光応答特性が良好で、例えば薄膜トランジスタのチャネル層として好適に用いられる導電路形成層を提供する。【解決手段】光照射によって可逆的に導電性が変化する有機分子mと、この有機分子nを結合させ微粒子sとで構成された導電路形成層1であり、有機分子mの官能基が、微粒子sと化学結合している。これにより、有機分子mが両端に有する官能基によって、有機分子mと微粒子sとが交互に結合してネットワークを形成している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光照射によって可逆的に導電性が変化する有機分子と、当該有機分子を結合させた微粒子とで構成された ことを特徴とする導電路形成層。

IPC (4)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/42

FI (5)：

H01L29/28 220A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/28 100A ,  H01L31/08 T

F-Term (29)：

5F088AA09 ,  5F088AB11 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光応答機能を有する電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-059214   Applicant：三菱化学株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-184860   Applicant：ソニー株式会社
• 光的に制御されるスイッチとして動作するように構成されることを特徴とする装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-145929   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 情報記憶デバイスと、この情報記憶デバイスを用いた情報記憶・再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-162497   Applicant：三菱化学株式会社
• 有機半導体トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-154907   Applicant：キヤノン株式会社