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J-GLOBAL ID：200903016632113322

半導体基材及びその作製方法

Inventor： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  湖東 雅弘
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999335591
Publication number (International publication number)：2000331947
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、原料ガスが凹部12及びその近傍に十分至らず、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。従って(b)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位20が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部11の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹部に空洞部13を残したまま、基板1の凹凸面を覆う。この場合、横方向に成長した部分、つまり凹部12上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。

Claim (excerpt)：

基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長されたものであることを特徴とする半導体基材。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (30)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DB09 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-133844   Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216110   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-133844   Applicant：松下電子工業株式会社