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J-GLOBAL ID：200903012840302052

半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法

Inventor： 石田 昌宏 ,  中村 真嗣 ,  折田 賢児 ,  今藤 修 ,  油利 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999133844
Publication number (International publication number)：2000156524
Application date： May. 14, 1999
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の能動領域の格子欠陥を低減し、信頼性が高く、高性能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 格子欠陥aを有し、表面に段差を有する基板1と、前記基板1上に形成されるとともに前記段差上に低欠陥領域bを有するInGaN量子井戸よりなる活性層5と、前記基板1上に半導体素子とを備え、前記半導体素子の能動領域5aを前記低欠陥領域bに形成する。

Claim (excerpt)：

格子欠陥を有し、表面に段差を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成されるとともに前記段差上に低欠陥領域を有する第2の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された半導体素子とを有し、前記半導体素子の能動領域が前記低欠陥領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/861 ,  H01S 5/323

FI (7)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/91 C ,  H01S 3/18 673

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-146431   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-034920
  
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-119377   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ヘテロエピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-003885   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭56-026429
  
• 特開平4-318918
  
• 半導体ウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-336984   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007048   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256088   Applicant：株式会社東芝