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J-GLOBAL ID：200903016731929318

電子デバイス

Inventor： ベン エス オン ,  フアロン パン ,  ユーニン リー ,  イリアン ウー ,  ピン リウ
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007271009
Publication number (International publication number)：2008109135
Application date： Oct. 18, 2007
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

【課題】空気中で安定であり、酸素に曝される場合には長期間にわたって実質的に劣化しない、薄膜トランジスタ等の有機電子デバイスを提供する。【解決手段】化学式/構造(I)の半導体を含む電子デバイスであって、式中、R、R’及びR’’は、独立に、水素、好適な炭化水素、好適なヘテロ原子含有基、ハロゲン、又はこれらの混合物であり、nは繰り返し単位の数を表す、電子デバイス。(I)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

化学式/構造(I)の半導体を含む電子デバイスであって、式中、R、R’及びR’’は、独立に、水素、好適な炭化水素、好適なヘテロ原子含有基、ハロゲン、又はこれらの混合物であり、nは繰り返し単位の数を表すことを特徴とする、電子デバイス。

IPC (4)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  C08G 61/12

FI (4)：

H01L29/28 250G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  C08G61/12

F-Term (30)：

4J032BA05 ,  4J032BB01 ,  4J032BC03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及び5員複素環化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-016906   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• ポリ(ベンゾジチオフェン)
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-301005   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• New π-conjugated polymers constituted of dialkoxybenzodithiophene units: synthesis and electronic p