有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及び5員複素環化合物

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004016906
Publication number (International publication number)：2005206750
Application date： Jan. 26, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】キャリア移動度が高く、保存性の優れた有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。【解決手段】下記一般式(1)、(2)または(3)で示される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】(式中、A1〜A4は炭素原子、窒素原子、硫黄原子または酸素原子を表し、A5〜A16炭素原子または窒素原子を表し、一般式(1)、(2)または(3)で示される部分構造には置換基を有してもよい。但し、A1とA2により形成される5員環とA3とA4により形成される5員環は点対称の関係にある同一の構造である。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)、(2)または(3)で示される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (5)：

C08G61/12 , C07D495/04 , C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (5)：

C08G61/12 , C07D495/04 101 , C07D519/00 , H01L29/78 618B , H01L29/28

F-Term (62)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071CC22 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071JJ07 , 4C071LL10 , 4C072MM08 , 4C072MM10 , 4C072UU10 , 4J032BA03 , 4J032BA05 , 4J032BA07 , 4J032BA15 , 4J032BA20 , 4J032BB01 , 4J032BB04 , 4J032BB05 , 4J032BB06 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-215748 Applicant：旭化成工業株式会社
ダイオード素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-316710 Applicant：松下技研株式会社
αヘキサチエニールを含む製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-039190 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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