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J-GLOBAL ID:200903036811567795

ポリ(ベンゾジチオフェン)

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 葛和 清司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004301005
Publication number (International publication number):2005120379
Application date: Oct. 15, 2004
Publication date: May. 12, 2005
Summary:
【課題】半導体または電荷移動材料として使用するための、合成が容易で、高い電荷移動度を有し、処理に適すると共に、半導体デバイスの製造においてより容易に処理でき、安定であり、大規模な合成も容易な材料を提供する。【解決手段】本発明は、3位および7位、および/または4位および8位において置換された少なくとも1個のベンゾジチオフェン(BDT)基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマー、これらの半導体または電荷移動材料としての使用、ならびにこれらを含む電界効果トランジスタ、発光デバイスまたはIDタグに関する。【選択図】なし
Claim (excerpt):
3位および7位、および/または4位および8位において置換された少なくとも1個のベンゾジチオフェン(BDT)基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマーであって、ただしモノ-、オリゴ-およびポリ(4,8-ビスアルコキシベンゾジチオフェン)を除く、前記モノマー、オリゴマーまたはポリマー。
IPC (3):
C08G61/12 ,  C07D333/76 ,  C09K19/38
FI (3):
C08G61/12 ,  C07D333/76 ,  C09K19/38
F-Term (8):
4H027BA13 ,  4J032BA02 ,  4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BB04 ,  4J032BC03 ,  4J032BD02 ,  4J032CG01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第5,625,199号明細書
Cited by examiner (6)
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