電磁波検出器及び画像検出器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：原謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000202789
Publication number (International publication number)：2002026300
Application date： Jul. 04, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体膜の局所的な構造変化や電荷阻止特性の不良の発生が少ない電磁波検出器及び画像検出器を提供する。【解決手段】電荷収集電極11を、ITOやインジウムと亜鉛との酸化物、インジウムとゲルマニウムとの酸化物等を基本組成とする非晶質透明導電酸化膜で構成する。抵抗値や透明性が劣化するといったトレードオフが無く、また、表面のモフォロジーが滑らかな非晶質透明導電酸化膜で電荷収集電極11を形成し、その上にa-Seに代表される非晶質状態の半導体膜6を形成する。

Claim (excerpt)：

検出対象の電磁波に感応して電荷を生成する半導体膜と、上記半導体膜で生成された電荷を取り出す電荷収集電極とを備えた電磁波検出器において、上記電荷収集電極が非晶質透明導電酸化膜からなることを特徴とする電磁波検出器。

IPC (7)：

H01L 27/14 , G01T 1/24 , G01T 1/29 , G01T 7/00 , H01L 27/146 , H01L 29/786 , H01L 31/09

FI (7)：

G01T 1/24 , G01T 1/29 C , G01T 7/00 A , H01L 27/14 K , H01L 27/14 C , H01L 29/78 613 Z , H01L 31/00 A

F-Term (60)：

2G088EE01 , 2G088EE27 , 2G088FF02 , 2G088FF14 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ32 , 2G088JJ37 , 2G088LL11 , 4M118AA08 , 4M118AA10 , 4M118CA32 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118FB08 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 5F088AA11 , 5F088BA01 , 5F088BB03 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088FA04 , 5F088KA03 , 5F088LA08 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ソリッド・ステート・デバイスを用いたX線イメージ捕獲エレメントおよび方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316975 Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
液晶表示基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213683 Applicant：株式会社日立製作所
撮像パネルおよびその残留電荷を除去する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-145515 Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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