半導体素子収納用パッケージ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995073276
Publication number (International publication number)：1996274203
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】気密封止の信頼性を高いものとして容器内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる安価な半導体素子収納用パッケージを提供することにある。【構成】セラミックス材料から成り、上面に半導体素子を収容するための段状の凹部1aを有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の凹部1aの段差部より外表面にかけて導出される複数個のメタライズ配線層4と、前記絶縁基体1の凹部1a周囲の外表面に取着されるシール金属層9と、前記シール金属層9に電気溶接により接合される金属製蓋体2とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記シール金属層9をタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも1種から成る厚みが15μm 乃至200 μm のメタライズ層7と、厚みが5 μm 乃至30μmのニッケル層8とで形成した。

Claim (excerpt)：

セラミックス材料から成り、上面に半導体素子を収容するための段状の凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部の段差部より外表面にかけて導出される複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体の凹部周囲の外表面に取着されるシール金属層と、前記シール金属層に電気溶接により接合される金属製蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記シール金属層をタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも1種から成る厚みが15μm 乃至200 μm のメタライズ層と、厚みが5 μm 乃至30μm のニッケル層とで形成したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3)：

H01L 23/02 , H01L 23/04 , H01L 23/08

FI (3)：

H01L 23/02 C , H01L 23/04 G , H01L 23/08 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体素子収納用パツケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-306276 Applicant：京セラ株式会社
特開平4-290251
シールリング用ロー材及びこれを用いた半導体素子用パッケージの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116511 Applicant：日本特殊陶業株式会社

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