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J-GLOBAL ID：200903016828888004

窒化物半導体素子及びそれを用いた発光装置

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000333613
Publication number (International publication number)：2002141614
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：
【要約】【課題】 窒化物半導体を用いた素子構造中に、Alを含む窒化物半導体の層を有する場合に、従来結晶性の悪化やクラックの発生などのため十分に機能しなかったものを改善し、良好な素子特性を得る。【解決手段】 AlNからなる窒化物津半導体基板101の上に、Alを含む窒化物半導体からなる層を有する素子構造103〜111が形成されたレーザ素子とする。この構成により、窒化物半導体基板上の素子構造中に、基板よりも熱膨張係数の小さいAlを含む窒化物半導体層を有することで、そのAlを含む窒化物半導体層を結晶性良く形成することができる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板の上に、窒化物半導体を積層した窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体基板がAlを含む窒化物半導体であり、前記積層される窒化物半導体として、Alを含む窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4)：
H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 5/323 ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (41)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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