半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038138
Publication number (International publication number)：1998135576
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子に関し、レーザ発振に必要な閾値電流密度を低減し、クラキングの発生し難い半導体層を有するとともに、面発光半導体レーザにおいては光の振動面を固定し且つ振動面の変動を抑制すること。【解決手段】基板11の主面上に直接又は第1の半導体層12を介して形成された第2の半導体層13と、前記第2の半導体層13の上に形成され、且つエネルギーバンドギャップが前記第2の半導体層13よりも小さく、一軸異方性を有する半導体よりなる活性層14と、前記活性層14上に形成されてエネルギーバンドギャップが前記活性層14よりも大きい第3の半導体層15と、前記第2の半導体層13、前記活性層14及び前記第3の半導体層15に膜厚方向に電流を流すための一対の電極17,18とを有し、少なくとも前記活性層14の膜厚方向は前記一軸異方性の軸とは異なる方向であること。

Claim (excerpt)：

基板の主面上に直接又は第1の半導体層を介して形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成され、且つエネルギーバンドギャップが前記第2の半導体層よりも小さく、一軸異方性を有する半導体よりなる活性層と、前記活性層上に形成されてエネルギーバンドギャップが前記活性層よりも大きい第3の半導体層と、前記第2の半導体層、前記活性層及び前記第3の半導体層に膜厚方向に電流を流すための一対の電極とを有し、少なくとも前記活性層の膜厚方向は前記一軸異方性の軸とは異なる方向であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-021159 Applicant：株式会社東芝
結晶製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051540 Applicant：株式会社日立製作所
基板上にIII-V属窒化物半導体材料を有する素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-039556 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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