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J-GLOBAL ID：200903077720003153

半導体装置

Inventor： 油利 正昭 ,  今藤 修 ,  中村 真嗣 ,  折田 賢児
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999311723
Publication number (International publication number)：2000200947
Application date： Nov. 01, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置における転位密度を減少させ、かつクラックをなくす。【解決手段】 珪素が添加された厚さ100μmのn型Al0.1Ga0.9N基板10の表面上に膜厚1.0μmのn型クラッド層11、膜厚30ÅのIn0.15Ga0.85N井戸層と膜厚50ÅのIn0.05Ga0.95Nバリア層とを交互に10層ずつ繰り返し、多重量子井戸として形成した活性層12、膜厚1.0μmのp型クラッド層13および膜厚1.5μmのp型コンタクト層14が順次形成される。さらにn型Al0.1Ga0.9N基板10の裏面にn型オーミック電極15が形成され、またp型GaNコンタクト層14の上にp型オーミック電極16が形成されている。

Claim (excerpt)：

Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)からなる基板と、前記基板の上に形成されたAlを含むIII族窒化物半導体よりなる第1半導体層と、を備え、前記基板のAl組成比xと前記第1半導体層のAl組成比との差が0.15より小さい半導体装置。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038138   Applicant：富士通株式会社
• 窒化ガリウム系半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-310333   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-338443   Applicant：三菱電線工業株式会社