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J-GLOBAL ID:200903016964672279

発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006509687
Publication number (International publication number):2007525000
Application date: Apr. 06, 2004
Publication date: Aug. 30, 2007
Summary:
発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
Claim (excerpt):
光発生領域、及び光発生領域によって支持される第1層備えた、複数の材料の多層積層体と、前記第1層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子から第1層の表面を通して放出可能に形成されていることと、 前記第1層の表面と接触する材料と、この材料は約1.5未満の屈折率を有することとを備え、 パッケージングされる、発光素子。
IPC (4):
H01L 33/00 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/02
FI (5):
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  H05B33/02
F-Term (21):
3K107AA01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC09 ,  3K107CC24 ,  3K107DD18 ,  3K107EE33 ,  3K107EE42 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA22 ,  5F041AA33 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15 ,  5F041DA12 ,  5F041DA42 ,  5F041DA44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 光半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-105600   Applicant:日本電気株式会社
  • 発光装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-155352   Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
  • 窒化物半導体素子及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-073311   Applicant:日亜化学工業株式会社

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