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J-GLOBAL ID:200903016964672279
発光素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
恩田 博宣
, 恩田 誠
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006509687
Publication number (International publication number):2007525000
Application date: Apr. 06, 2004
Publication date: Aug. 30, 2007
Summary:
発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
Claim (excerpt):
光発生領域、及び光発生領域によって支持される第1層備えた、複数の材料の多層積層体と、前記第1層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子から第1層の表面を通して放出可能に形成されていることと、
前記第1層の表面と接触する材料と、この材料は約1.5未満の屈折率を有することとを備え、
パッケージングされる、発光素子。
IPC (4):
H01L 33/00
, H01L 51/50
, H05B 33/04
, H05B 33/02
FI (5):
H01L33/00 N
, H01L33/00 C
, H05B33/14 A
, H05B33/04
, H05B33/02
F-Term (21):
3K107AA01
, 3K107CC05
, 3K107CC09
, 3K107CC24
, 3K107DD18
, 3K107EE33
, 3K107EE42
, 5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041AA22
, 5F041AA33
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB15
, 5F041DA12
, 5F041DA42
, 5F041DA44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-105600
Applicant:日本電気株式会社
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発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-155352
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
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窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-073311
Applicant:日亜化学工業株式会社
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