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J-GLOBAL ID：200903011994729095

窒化物半導体素子及びその製造方法

Inventor： 園部 真也 ,  福井 義典
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (2)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003073311
Publication number (International publication number)：2004281863
Application date： Mar. 18, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体からなる積層体の一方の主面にp電極を形成する一方、他方の主面にn電極を形成し、両電極を対向配置してなる窒化物半導体素子である。他方の主面がn型窒化物半導体層の(000-1)面であり、n電極が、その(000-1)面に接しn型不純物を含む合金層を有している。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなる積層体の一方の主面にp電極を形成する一方、他方の主面にn電極を形成し、両電極を対向配置してなる窒化物半導体素子であって、 上記の他方の主面がn型窒化物半導体層の(000-1)面であり、上記n電極が、該(000-1)面に接しn型不純物を含む合金層を有する窒化物半導体素子。

IPC (4)：

H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

FI (5)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B ,  H01S5/042 612 ,  H01S5/343 610

F-Term (38)：

4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB15 ,  4M104BB28 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA98 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073DA31 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056047   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-000072   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-210862   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-222090   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体発光デバイスチップ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-055816   Applicant：並木精密宝石株式会社