半導体装置およびこれを用いた表示駆動装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039765
Publication number (International publication number)：1997246936
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】同一導電型のトランジスタで構成することで、リーク電流が小さく、高集積化が可能で、少ない工程で形成することができ、出力レベルが適正な半導体装置とする。【解決手段】 P型トランジスタ13と14の各ソース及びドレインは、電源とグラウンドとの間に直列に接続され、P型トランジスタ13のゲートには、入力(IN)側から正論理又は負論理が印加され、P型トランジスタ14のゲートには、反転入力( ̄IN)側から入力(IN)を反転した論理が印加される。そして、その反転入力( ̄IN)からP型トランジスタ14のゲートに致る間に、P型トランジスタ12のソース・ドレインを介在させ、そのP型トランジスタ12とP型トランジスタ14のゲートとの間に一端が接続され、P型トランジスタ13とP型トランジスタ14の接続点との間に他端が接続されたコンデンサ15を介在させている。これにより、出力端子(OUT)から出力されるLowレベルがグラウンドレベルと同等の電位となるように補正することができる。

Claim (excerpt)：

入力端に高電位が入力される、一導電型の第1のトランジスタと、入力端に低電位が入力される、前記第1のトランジスタと同一導電型の第2のトランジスタと、前記第1および第2のトランジスタの出力端に接続された出力手段と、前記第1のトランジスタのゲートに接続された非反転信号供給手段と、前記第2のトランジスタのゲートに接続された反転信号供給手段と、前記第1および第2のトランジスタの出力端と前記反転信号供給手段との間、または前記第1および第2のトランジスタの出力端と前記非反転信号供給手段との間のいずれかに接続された出力電圧補償回路と、を具備してなり、前記出力電圧補償回路により前記出力手段から出力される低電位の上昇または高電位の低下を抑制することを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H03K 17/687 , G02F 1/133 505 , G09G 3/36 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H03K 3/356 , H03K 17/14 , H03K 19/0175 , H04N 5/66 102

FI (9)：

H03K 17/687 F , G02F 1/133 505 , G09G 3/36 , H01L 27/12 Z , H03K 17/14 , H04N 5/66 102 B , H01L 29/78 612 B , H03K 3/356 Z , H03K 19/00 101 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

出力回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-187569 Applicant：株式会社東芝
特開平4-357710
特開平4-207629

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