窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994196374
Publication number (International publication number)：1996064871
Application date： Aug. 22, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体、特にp型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られる電極を提供することにより、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子、受光素子等のVfを低下させる。【構成】 p型の窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記p型層の電極は、そのp型層に接する側にマグネシウム(Mg)、または少なくともMgを含む合金が使用されている。

Claim (excerpt)：

p型の窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記p型層の電極は、そのp型層に接する側にマグネシウム(Mg)、または少なくともMgを含む合金が使用されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 31/10 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開昭53-128273
特開昭63-095695
特開昭63-252471

Show all

Return to Previous Page