Pat
J-GLOBAL ID：200903070660528265
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994092323
Publication number (International publication number)：1995302770
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】3-5族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、LEDの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとする。【構成】InX Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、3-5族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、400°C以上で熱処理することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。
Claim (excerpt)：
InX Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、3-5族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、400°C以上で熱処理することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/203
, H01L 33/00
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
