CMOSイメージセンサ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀬谷徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001207053
Publication number (International publication number)：2002110957
Application date： Jul. 06, 2001
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】電圧スイング幅の減少及び暗電流の増加を同時に抑制させることのできるCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】不純物領域34及びゲート電極33を有している半導体構造体と、前記不純物領域の一部とオーバーラップされ、前記ゲート電極の片側の側壁に形成された第1スペーサ35Aと、第1スペーサの側壁に形成された第2スペーサ36Aと、前記ゲート電極の他側の側壁に形成された第3スペーサ36Bとを含んでなる。

Claim (excerpt)：

不純物領域及びゲート電極を有している半導体構造体と、前記不純物領域の一部とオーバーラップされ、前記ゲート電極の片側の側壁に形成された第1スペーサと、前記第1スペーサの側壁に形成された第2スペーサと、前記ゲート電極の他側の側壁に形成された第3スペーサとを含んでなることを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (5)：

H01L 27/146 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (5)：

H04N 5/335 E , H04N 5/335 U , H01L 27/14 A , H01L 27/08 321 D , H01L 31/10 A

F-Term (25)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DD04 , 4M118EA07 , 4M118FA33 , 5C024CY47 , 5C024GY31 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BC03 , 5F048DA25 , 5F048DA30 , 5F049MA02 , 5F049NA05 , 5F049NB03 , 5F049PA10 , 5F049PA14 , 5F049PA15 , 5F049QA04 , 5F049RA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭59-198756
MIS型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-232176 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-218925

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