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J-GLOBAL ID:200903017098383889

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000091769
Publication number (International publication number):2001283941
Application date: Mar. 29, 2000
Publication date: Oct. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 集電電極の内部抵抗により生じる損失を抑制することにより光電変換効率が飛躍的に向上された新規な構造を有する光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも一方が光透過性の素材からなる2枚の基板の間に、少なくとも、色素担持半導体層と、集電電極と、電解質層と対電極とを有する光電変換素子において、前記光透過性素材からなる基板の一方の面上に色素担持半導体層が配設され、該色素担持半導体層の他方の面上に有孔集電電極が配設され、他方の基板の一方の面上に対電極が配設され、前記集電電極と対電極との間に電解質層が配設されている光電変換素子。
Claim (excerpt):
少なくとも一方が光透過性の素材からなる2枚の基板の間に、少なくとも、色素担持半導体層と、集電電極と、電解質層と対電極とを有する光電変換素子において、前記光透過性素材からなる基板の一方の面上に色素担持半導体層が配設され、該色素担持半導体層の他方の面上に有孔集電電極が配設され、他方の基板の一方の面上に対電極が配設され、前記集電電極と対電極との間に電解質層が配設されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (16):
5F051AA14 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC13 ,  5H032EE01 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 色素増感型太陽電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-189222   Applicant:株式会社豊田中央研究所
  • 光電気セル
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-245935   Applicant:触媒化成工業株式会社
  • 光電変換素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-067157   Applicant:株式会社東芝
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