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J-GLOBAL ID：200903017244402319

窒化物半導体素子

Inventor：
山田 孝夫

About 山田 孝夫


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114942
Publication number (International publication number)：1997298310
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 電極間ショートのない信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 同一面側に正負一対の電極104,103が設けられてなる窒化物半導体チップ100がフェースダウンの状態で支持体20にマウントされてなる窒化物半導体素子において、前記支持体には、半導体チップの電極位置と対応する位置に形成された第1の電極21a,21bと、その第1の電極と電気的に接続され、第1の電極よりも面積が大きい第2の電極22a,22bとが形成されており、さらに前記半導体チップの電極は前記第1の電極に直接接続されていることにより、熱圧着のみで電極間を接続できるため信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
同一面側に正負一対の電極が設けられてなる窒化物半導体チップがフェースダウンの状態で支持体にマウントされてなる窒化物半導体素子において、前記支持体の表面には、半導体チップの電極位置と対応する位置に形成された第1の電極と、その第1の電極と電気的に接続され、第1の電極よりも面積が大きい第2の電極とが形成されており、さらに前記半導体チップの電極は前記第1の電極に直接接続されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/02
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N ,  H01L 31/02 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開昭56-112774
  • 特開昭52-130295
  • 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022671   Applicant：日亜化学工業株式会社
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