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J-GLOBAL ID：200903017299096756

ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池

Inventor： 和辻 隆 ,  頼 高潮 ,  町田 智弘 ,  田中 聡 ,  日置 正臣
Applicant, Patent owner： 東洋アルミニウム株式会社 ,  シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002021208
Publication number (International publication number)：2003223813
Application date： Jan. 30, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 p型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のBSF効果を十分達成することができ、かつ焼成後のp型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された不純物層または電極層を備えた太陽電池を提供することである。【解決手段】 ペースト組成物は、p型シリコン半導体基板1の上に不純物層または電極層を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含む。太陽電池は、上述の特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板1の上に塗布した後、焼成することにより形成したp+層7、Al-Si合金層6、および/または、裏面電極層5を備える。

Claim (excerpt)：

p型シリコン半導体基板の上に不純物層または電極層を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、かつ、溶融温度、軟化温度および分解温度のいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機化合物粉末とを含む、ペースト組成物。

IPC (2)：

H01B 1/22 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01B 1/22 A ,  H01L 31/04 H

F-Term (11)：

5F051AA01 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5G301DA04 ,  5G301DA32 ,  5G301DA33 ,  5G301DA34 ,  5G301DD01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池用ペースト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-130857   Applicant：京セラ株式会社
• 厚膜導電性ペースト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220902   Applicant：第一工業製薬株式会社, 同和鉱業株式会社