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J-GLOBAL ID：200903017324369266

化学増幅型レジスト組成物

Inventor： 山本 敏 ,  花元 幸夫 ,  桑名 耕治
Applicant, Patent owner： 住友化学株式会社
Agent (3)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005281350
Publication number (International publication number)：2006126818
Application date： Sep. 28, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】優れた濾過特性を有し、レジスト塗布膜上の欠陥の数を大幅に低減できるだけでなく、経時によるレジスト液の変質によるレジスト塗布膜上の欠陥も大幅に低減でき、長期保存安定性を有する半導体塗布膜用溶液を提供する。【解決手段】粗樹脂(1)を40〜90°Cで活性炭と接触させ、その後珪藻土類及び/又はシリカゲル類と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)を含むことを特徴とする半導体塗布膜用溶液。該半導体塗布膜用溶液が化学増幅型レジスト組成物であり、処理済樹脂(1)とともに、酸発生剤及び溶媒を含む前記記載の半導体塗布膜用溶液。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

粗樹脂(1)を40〜90°Cで活性炭と接触させ、その後珪藻土類及び/又はシリカゲル類と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)を含むことを特徴とする半導体塗布膜用溶液。

IPC (7)：

G03F 7/26 ,  C08F 6/00 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/00 ,  C08F 12/00 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F7/26 ,  C08F6/00 ,  G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/00 510 ,  C08F12/00 510 ,  H01L21/30 502R

F-Term (40)：

2H025AA00 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ01 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025EA01 ,  2H025EA04 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA20 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  2H096LA17 ,  2H096LA21 ,  2H096LA30 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA11P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100EA01 ,  4J100GC35 ,  4J100JA01 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-015401   Applicant：和光純薬工業株式会社, 住友化学工業株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-315265   Applicant：住友化学工業株式会社