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J-GLOBAL ID：200903069753944783

レジスト組成物

Inventor： 浦野 文良 ,  藤江 啓利 ,  竹山 尚幹 ,  市川 幸司
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社 ,  住友化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000015401
Publication number (International publication number)：2000284482
Application date： Jan. 25, 2000
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】紫外線、特に300 nm以下の遠紫外光、KrFエキシマレーザ光等に対し高透明性を有し、これ等光源による露光や電子線、軟X線照射に対して高い感度を有し、耐熱性や基板密着性に優れ、高解像性能を有し、パターン寸法が経時的に変動せずに精度の高いパターンが得られ、貯蔵安定性に優れ、広いDOFや良好なマスクリニアリティを有し、基板依存性がなく、裾引きやスカムが生ぜず且つ側壁荒れも少ない矩形のパターン形状が得られる実用的なレジスト組成物の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性となる特定のポリマー2種以上と、ジアゾジスルホン化合物1種と、特定の2種のオニウム塩からなる群から選ばれた1種以上と、これ等を溶解可能な溶剤とを含んで成ることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

酸の作用によりアルカリ可溶性となる下記一般式[24]【化1】[式中、R1及びR2は夫々独立して水素原子又はメチル基を表し、R3及びR4は夫々独立して水素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又は置換されていても良いフェニル基を表し、両者が結合してメチレン鎖を形成していても良く(但し、R3及びR4が共に水素原子の場合は除く。)、R5は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基又はアラルキル基を表し、R22はエステル化されたカルボキシル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、m及びnは夫々独立して自然数を表し、jは0又は自然数を表す(但し、0.10≦m+j/m+n+j≦0.90で且つ0≦j/m+n+j≦0.25である。)。]で示されるポリマー2種以上と、下記一般式[3]で示される化合物1種以上と、下記一般式[4]で示される化合物及び一般式[6]で示される化合物からなる群から選ばれた1種以上と、これ等を溶解可能な溶剤とを含んで成ることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。【化2】[式中、R8は炭素数3〜8の分枝状又は環状のアルキル基を表し、R9は炭素数1〜8の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、又はアラルキル基を表す。]【化3】[式中、R10、R11及びR12は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基又はフェニルチオ基を表し、R13は1-ナフチル基、2-ナフチル基、10-カンファー基、ピリジル基、又は下記一般式[5]【化4】(式中、R14及びR15は夫々独立して水素原子又はハロゲン原子を表し、R16は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜12の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、又はトリフルオロメチル基を表す。)を表す。]【化5】[式中、R17及びR18は夫々独立して水素原子、炭素数1〜4の直鎖状又は分枝状のアルキル基、又は炭素数1〜4の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基を表し、R19は1-ナフチル基、2-ナフチル基、10-カンファー基、フェニル基、又は炭素数1〜12の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基で置換されたフェニル基を表す。]。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110395   Applicant：信越化学工業株式会社
• 新規ポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-035572   Applicant：和光純薬工業株式会社
• ポリマー組成物及びこれを含んで成るレジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-354985   Applicant：和光純薬工業株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-299177   Applicant：信越化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-110395   Applicant：信越化学工業株式会社
• 新規ポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-035572   Applicant：和光純薬工業株式会社
• ポリマー組成物及びこれを含んで成るレジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-354985   Applicant：和光純薬工業株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-299177   Applicant：信越化学工業株式会社