Pat
J-GLOBAL ID：200903017346599230

欠陥検査方法及びその装置

Inventor：
遠藤 章宏

About 遠藤 章宏


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998213350
Publication number (International publication number)：2000047369
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 修正を要しないため検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることにより、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる欠陥検査方法及びその装置を提供する。【解決手段】 マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いはマスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外パターンを指定した検査用データ17と設計パターンから成る検査用データ11を作成し、マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報12と前記検査除外パターンを指定した検査用データ17と合成して得られた画像情報18を、設計パターンから成る検査用データ11とを比較照合することにより、相違箇所を欠陥と認識し、マスク基板上または半導体基板上の任意の半導体素子パターンの検査を除外する。
Claim (excerpt)：
マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、(a)予め検査除外パターンを指定した検査用データと設計パターンから成る検査用データを作成し、(b)前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報と前記検査除外パターンを指定した検査用データとを合成して得られた画像情報を、設計パターンから成る検査用データと比較照合することにより、相違箇所を欠陥と認識し、前記マスク基板上または半導体基板上の任意の半導体素子パターンの検査を除外することを特徴とする欠陥検査方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 S ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/30 502 V
F-Term (23)：
2G051AA56 ,  2G051AA65 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051EA12 ,  2G051ED01 ,  2G051ED04 ,  2G051ED11 ,  2H095BA01 ,  2H095BB06 ,  2H095BB09 ,  2H095BB10 ,  2H095BD02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD05 ,  2H095BD12 ,  2H095BD15 ,  2H095BD19 ,  2H095BD26 ,  2H095BD27 ,  2H095BD28 ,  2H095BE07 ,  2H095BE10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • マスク検査装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220679   Applicant：東芝機械株式会社
  • プリント基板の検査装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-196270   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
  • マスクの検査方法およびその検査装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-216285   Applicant：日本電気株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM