強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川口義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994297213
Publication number (International publication number)：1996157260
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、飽和蒸気圧の高い成分を主組成とするPb系強誘電体薄膜に於ける膜中からその成分の蒸発、脱離による組成ずれや、リーク電流、電気的疲労特性を飛躍的に改善する強誘電体薄膜の製造方法を提供することによって、高信頼性のデバイスを実現可能とすることを目的としている。【構成】鉛系ペロフスカイト型強誘電体を構成する各元素の有機金属化合物又は無機塩を、有機酸溶媒中で加熱、撹拌したのち、前記の有機金属化合物又は無機塩を溶解することができる溶媒で希釈、調製した前駆体溶液を用いて強誘電体薄膜を作製することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

強誘電体薄膜の製造方法であって、以下の化学式で表される鉛系ペロブスカイト型強誘電体を構成する各元素の有機金属化合物又は無機塩を、有機酸溶媒中で加熱、撹拌したのち、前記の有機金属化合物又は無機塩を溶解することができる他の溶媒で希釈、調製した前駆体溶液を用いて強誘電体薄膜を作製することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。(Pb1-yAy)(BxC1-x)O3ここで、1>y≧0、1>x>0、Aは、La又はErであり、B及びCは、Zr、Ti、Mg及びNbからなる群から選択された異なる元素である。

IPC (6)：

C04B 35/49 , H01L 27/105 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 41/187 , H01L 41/24

FI (6)：

C04B 35/49 D , H01L 27/10 441 , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 652 K , H01L 41/18 101 D , H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ペロブスカイト皮膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-241138 Applicant：レイセオン・カンパニー
特表平4-506791
チタン酸ジルコン酸鉛の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-181348 Applicant：土谷敏雄, アルプス電気株式会社

Show all

Return to Previous Page