磁気検出素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：野▲崎▼ 照夫 , 三輪正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004180380
Publication number (International publication number)：2006005185
Application date： Jun. 18, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】 S/N比の良好な磁気検出素子を提供する。【解決手段】磁気検出素子の多層膜T1の多層膜上流部Aと多層膜下流部Bのスピンバルク依存散乱量を非対称にして、多層膜上流部Aの磁気抵抗変化量×素子面積ΔRAを多層膜下流部BのΔRAよりも小さくする。これによって、デュアルスピンバルブ型磁気検出素子のフリー磁性層にかかるスピン伝達トルクを十分に相殺させることができる。本発明を用いると原理的にはフリー磁性層にかかるスピン伝達トルクをゼロにすることもできる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

フリー磁性層の下に非磁性材料層及び固定磁性層が設けられ、前記フリー磁性層の上に非磁性材料層及び固定磁性層が設けられている多層膜を有し、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層は、上部フリー磁性層及び下部フリー磁性が直接あるいは他の磁性材料層又は非磁性材料層を介して積層されたものであり、前記下部フリー磁性層並びにこの下部フリー磁性層より下側の非磁性材料層及び固定磁性層を有する多層膜下部と前記上部フリー磁性層並びにこの上部フリー磁性層より上側の非磁性材料層及び固定磁性層を有する多層膜上部のうち、伝導電子の流れの上流に位置する方を多層膜上流部、伝導電子の流れの下流に位置する方を多層膜下流部としたとき、前記多層膜上流部の磁気抵抗変化量×素子面積ΔRAが前記多層膜下流部のΔRAよりも小さいことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 , C22C 19/05 , C22C 19/07 , G11B 5/39 , G01R 33/09

FI (6)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , C22C19/05 D , C22C19/07 C , G11B5/39 , G01R33/06 R

F-Term (8)：

2G017AA10 , 2G017AC09 , 2G017AD54 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA12 , 5D034CA04 , 5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

CPP構造スピンバルブヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-349106 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

磁気検出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-077752 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-318918 Applicant：株式会社東芝
磁気検出素子及び前記磁気検出素子を用いた薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-185244 Applicant：アルプス電気株式会社

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