磁気検出素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002077752
Publication number (International publication number)：2003008108
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来におけるフォトリソグラフィー技術では効果的に再生出力の高いCPP型磁気検出素子を製造することはできなかった。【解決手段】フリー磁性層26のセンス電流の到達面側(上面側)に導電部と絶縁部とが混在した電流制限層27を設ける。これにより光学的な素子面積を大きくしても実効的な素子面積を小さくできるので、従来と同等の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて容易に磁気検出素子を製造できると共に再生出力の高いCPP型磁気検出素子を製造することができる。

Claim (excerpt)：

反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層の上面あるいは下面の少なくとも一方に、直接にあるいは他層を介して絶縁部と導電部とが混在した電流制限層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 D , G11B 5/39 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

F-Term (4)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5D034BA03 , 5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

CPP構造スピンバルブヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-349106 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-161017 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (4)

CPP構造スピンバルブヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-349106 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-161017 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝

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