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J-GLOBAL ID：200903017430275726

半導体発光素子

Inventor：
蔵本 恭介

About 蔵本 恭介


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (3)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007009373
Publication number (International publication number)：2007235107
Application date： Jan. 18, 2007
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：
【課題】発光効率が高い半導体発光素子を得る。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、 基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01S 5/323
FI (1)：
H01S5/323 610
F-Term (14)：
5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AF36 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP82 ,  5F173AR23 ,  5F173AR25 ,  5F173AR75
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)
  • 回折格子作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-194056   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140760   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-041171   Applicant：ソニー株式会社

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