Pat

J-GLOBAL ID：200903017441796043

半導体装置の製造方法

Inventor： 深沢 正永 ,  門村 新吾 ,  福田 誠一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997158570
Publication number (International publication number)：1998256240
Application date： Jun. 16, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 一般的な組成のエッチングガスばかりでなく、フルオロカ-ボン系ガスを含まないエッチングガスを用いるドライエッチングにより、層間絶縁膜に接続孔を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、エッチングガスを用いるドライエッチングにより、層間絶縁膜に、接続孔を形成する工程を有する半導体装置の製造方法に関するものである。低誘電率膜12は、化学構造式中にSiF結合又はCF結合を有する化合物からなる絶縁膜である。具体的には、SiOF、環状フッ素樹脂シロキサン共重合体、ポリフルオロアリールエーテルなどを用いることができる。これらの絶縁膜を用いることにより、エッチング中に層間絶縁膜の接続孔14内から放出されるF、又はフルオロカーボン系の分子の活性種が、接続孔14内の絶縁膜のエッチングを増速させることができる。

Claim (excerpt)：

エッチングガスを用いるドライエッチングにより、化学構造式中にSiF結合又はCF結合を有する化合物からなる層間絶縁膜に、接続孔を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 含F材料を含む被エッチング材をエッチングするエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-263687   Applicant：ソニー株式会社
• 積層絶縁膜のプラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-122682   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-084427
  
• 特開平4-084427