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J-GLOBAL ID：200903062457145056

積層絶縁膜のプラズマエッチング方法

Inventor：
辰巳 哲也

About 辰巳 哲也


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995122682
Publication number (International publication number)：1996316209
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 有機高分子系絶縁膜上に酸化シリコン系絶縁膜が形成された、低誘電率の積層絶縁膜に接続孔を開口する際の、エッチングレートの低下と加工形状の劣化を防止しうるプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 第1の発明では、酸化シリコン系絶縁膜をパターニング後、この酸化シリコン系絶縁膜パターンをマスクに下層の有機高分子系絶縁膜をO系ガスでプラズマエッチングする。第2の発明では、下層のシロキサン結合を有する有機高分子絶縁膜を、プラズマ中のC/F比を低下させたエッチング条件でプラズマエッチングする。【効果】 下層の有機高分子系絶縁膜のパターニング時にエッチング条件を切り替えることにより、有機高分子系絶縁膜表面に炭素系堆積膜が形成されてエッチングレートが低下したり、加工形状が劣化する現象を防止できる。い。
Claim (excerpt)：
有機高分子系絶縁膜上に、酸化シリコン系絶縁膜が積層された構造を有する、積層絶縁膜のプラズマエッチング方法において、前記酸化シリコン系絶縁膜を、レジストマスクを用いてパターンに形成するプラズマエッチング工程と、前記有機高分子系絶縁膜を、酸素系化学種を発生しうるガスを含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする工程と、をこの順の施すことを特徴とする、積層絶縁膜のプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28
FI (2)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 M
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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