含F材料を含む被エッチング材をエッチングするエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994263687
Publication number (International publication number)：1996124910
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【構成】含F材料を含む部分であるSiOF膜等を有する被エッチング材(半導体ウエハー等)をエッチングするためのエッチングガスとして、Fを捕捉するガス成分を含むエッチングガスを用いるとともに、含F材料4であるSiOF膜等を有する被エッチング材をエッチングする際、含F材料4をエッチングする時のみ、Fを捕捉するガス(H2 ,CO,H2 S等)の添加量を増やす。【効果】本発明によれば、含F材料(SiOF等)を含む部分を有する被エッチング剤をエッチングする場合も、含F材料から放出されるFの影響を防止でき、よって寸法変換差を小さくでき、かつボウイング形状などの生じない良好な加工形状でエッチングを実現できる。

Claim (excerpt)：

含F材料を含む部分を有する被エッチング材をエッチングするためのエッチング方法であって、エッチングガス成分中のFを捕捉するガス成分の量を被エッチング部により制御する構成としたことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C01B 33/10 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347209 Applicant：ソニー株式会社
酸化物部分および窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296599 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319549 Applicant：日本電気株式会社

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