半導体レーザの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996332207
Publication number (International publication number)：1998173278
Application date： Dec. 12, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】高い基本横モード出力を有する半導体レーザを歩留まり良く製造する。【解決手段】基板上に活性層、内部クラッド層を含む多層の半導体膜を形成し、該半導体膜の上に少なくともエッチングストップ層、外部クラッド層、キャップ層、マスク層をこの順に形成した後、前記外部クラッド層に到達する深さまでドライエッチングを行いメサストライプを形成し、エッチング液により前記外部クラッド層をさらにエッチングする。

Claim (excerpt)：

基板上に活性層、内部クラッド層を含む多層の半導体膜を形成する工程と、該半導体膜の上に少なくともエッチングストップ層、外部クラッド層、キャップ層、マスク層をこの順に形成する工程と、前記外部クラッド層に到達する深さまでドライエッチングを行いメサストライプを形成する工程と、エッチング液により前記外部クラッド層をさらにエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-246646 Applicant：富士電機株式会社
特開昭63-037684
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-003913 Applicant：シャープ株式会社

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