半導体可変コンデンサ及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小橋一男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999007026
Publication number (International publication number)：1999261015
Application date： Jan. 13, 1999
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置内において集積化されている可変コンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、半導体装置内の可変コンデンサが提供され、その容量値は、外部刺激に応答して該コンデンサのプレート間の空間内の誘電体物質の運動によって変化される。このような可変コンデンサの製造方法が提供され、その場合に、コンデンサは積層構成体内に形成され、頂部層はコンデンサプレート間の空間内に延在する誘電体物質部分からなる部分を有している。頂部層を形成した後に、中間層をエッチング除去して頂部層を可撓的なものとさせ、コンデンサプレート間の空間内において該誘電体物質が移動することを容易とさせる。

Claim (excerpt)：

半導体装置の一部として形成されている可変コンデンサにおいて、(a)半導体基板、(b)前記半導体基板によって支持されている絶縁層、(c)前記可変コンデンサの第一プレートを画定する前記絶縁層上に配設されている第一導体、(d)前記絶縁層上に配設されており前記可変コンデンサの第二プレートを画定する第二導体であって、前記第一導体との間にギャップを画定するために前記第一導体から離隔されている第二導体、(e)前記半導体基板によってその周辺部が支持されている可撓性メンブレンであって、誘電体物質を有しており且つ前記可変コンデンサの容量を変化させるために前記第一及び第二導体の間のギャップ内へ延在し且つ移動可能な部分を有する可撓性メンブレン、を有することを特徴とする可変コンデンサ。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 7/00

FI (2)：

H01L 27/04 P , H01G 7/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭57-125355
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-097708 Applicant：日本電装株式会社
容量式加速度センサおよび作動法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-237104 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング

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Cited by examiner (7)

マイクロメカニズムデバイス、マイクロシステム及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-125906 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
ゴルフテイ-
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-029016 Applicant：デイヴイツドギルシユリスト
特開昭57-125355

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