電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997205051
Publication number (International publication number)：1999054527
Application date： Jul. 30, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、ソース電極からゲート電極へのリーク電流を抑圧する。【解決手段】チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記チャネル層上、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成されたゲート電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、前記高抵抗層を、前記ソース電極の側の第1の側壁面と、前記ドレイン電極の側の第2の側壁面とにより画成し、少なくとも前記第1の側壁面を、前記ソース電極から離間させる。

Claim (excerpt)：

キャリアを通過させるチャネル層と、前記チャネル層中にキャリアを注入するソース電極と、前記チャネル層中を通過したキャリアを回収するドレイン電極と、前記チャネル層上、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層に設けらた開口内に形成され、前記チャネル層を通過するキャリアを制御するゲート電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、前記高抵抗層は、前記ソース電極の側の第1の側壁面と、前記ドレイン電極の側の第2の側壁面とにより画成されており、少なくとも前記第1の側壁面は、前記ソース電極から離間していることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭62-274674
化合物半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-322087 Applicant：ローム株式会社
特開昭60-154674

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