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J-GLOBAL ID：200903017657544324

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
菅原 秀人

About 菅原 秀人


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999135354
Publication number (International publication number)：2000332288
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】動作電圧が均一で発光効率の高い窒化ガリウム系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】n-InGaNコンタクト層3はバッファ層2を介してサファイア基板1上に形成され、上面にn-側電極9を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第一のn型半導体層と、前記第一のn型半導体層上に形成された第二のn型半導体層と、前記第二のn型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp型半導体層と、前記第一のn型半導体層上に形成された電極と、を具備し、前記第一のn型半導体層はインジウムを含み、且つ前記第二のn型半導体層より電子キャリア濃度及び層厚が大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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