電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999010137
Publication number (International publication number)：2000208755
Application date： Jan. 19, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】高出力、高周波数、高温でも適切に動作する電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】基板1上にn型SiC層2を形成し、n型SiC層2上に酸化膜を形成し、酸化膜7の一部を除去することによりn型SiC層2の表面を露出させ、露出したn型SiC層2の表面上にAlGaN層6を形成し、AlGaN層6上にゲート電極5を形成し、AlGaN層6近傍の酸化膜の2個所を除去することによりn型SiC層2の表面に2個所の露出部を形成し、一方の露出部にソース電極3を形成し、他方の露出部にドレイン電極4を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成されたn型SiC層と、前記n型SiC層上に形成されたドレイン電極およびソース電極と、前記n型SiC層上の前記ドレイン電極とソース電極との間の部分に形成されたAlGaN層と、前記AlGaN層上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 B

F-Term (14)：

5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GM04 , 5F102GN02 , 5F102GR04 , 5F102GT01 , 5F102HC02 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-086394 Applicant：松下電器産業株式会社
絶縁されたゲートを有する半導体デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-519734 Applicant：エービービーリサーチリミテッド
特開平1-065870

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