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J-GLOBAL ID：200903017691337923

周期ドメイン反転構造の製造方法

Inventor：
陳志臣

About 陳志臣

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江昌鴻

About 江昌鴻

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李有璋

About 李有璋

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簡政尉

About 簡政尉


Applicant, Patent owner：
國立中央大學

About 國立中央大學


Agent (1)： 中谷 光夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007101818
Publication number (International publication number)：2008003566
Application date： Apr. 09, 2007
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：
【課題】本発明は、製造コストを削減することのできる周期ドメイン反転構造を製造する方法を提供する。【解決手段】非線形光学強誘電材料基板を準備する。フォトレジスト層を基板の上表面および下表面に形成し、2つのレーザービームの干渉により形成される周期性格子を上表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。同時に、2つのレーザービームを基板を通過させ、周期性格子を下表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。現像プロセスを行い、基板の2つの表面上の周期性フォトレジストパターンを形成する。導電層を基板上方に形成し、フォトレジストパターンおよび露出された基板の表面を被覆する。フォトレジストパターンおよびその上の導電層の一部をリフトオフ法により除去する。電圧を残存導電層を経由して基板に印加し、基板の複数の部分を分極化する。【選択図】図7F
Claim (excerpt)：
周期ドメイン反転構造の製造方法であって: 非線形光学強誘電材料である基板を準備することと; 前記基板の上表面および下表面にフォトレジスト層を形成することと; 2つのレーザービームの干渉により形成される複数の周期性格子を用いることで前記基板の前記上表面の前記フォトレジスト層を露光するとともに、前記2つのレーザービームが前記基板を通過することにより形成される前記格子を用いることで前記基板の前記下表面の前記フォトレジスト層を露光することと; 現像プロセスを行い、前記基板の前記上表面と前記下表面に周期性フォトレジストパターンを形成することと; 前記基板上に導電層を形成し、前記フォトレジストパターンおよび前記露出された基板表面を被覆することと; リフトオフ技術により前記フォトレジストパターンおよびその上の前記導電層の一部分を除去することと; 残存する導電層を経由して前記基板に電圧を印加し、前記基板の複数の部分を分極化することと; を含む周期ドメイン反転構造の製造方法。
IPC (1)：
G02F 1/35
FI (1)：
G02F1/35
F-Term (4)：
2K002AB12 ,  2K002CA03 ,  2K002DA01 ,  2K002FA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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