Pat
J-GLOBAL ID:200903017709226857

磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 勇
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997112220
Publication number (International publication number):1998303477
Application date: Apr. 30, 1997
Publication date: Nov. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システムにおいて、出力値、出力波形及びビットエラーレートの良好な特性を得るとともに、熱的な信頼性も向上させる。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、基体100上に、下地層101、第1フリー磁性層102、非磁性層104、固定磁性層106及び反強磁性層107が順次形成されたものである。そして、下地層101は、材質の異なる二以上の金属層が積層されてなる。この金属層は、Ta,Hf,Zr,W,Cr,Ti,Mo,Pt,Ni,Ir,Cu,Ag,Co,Zn,Ru,Rh,Re,Au,Os,Pd,Nb及びVの群から選ばれた一の金属又は二以上の合金からなる。
Claim (excerpt):
基体上に下地層を介して、磁性層、非磁性層、磁性層及び反強磁性層、又は反強磁性層、磁性層、非磁性層及び磁性層が順次形成された磁気抵抗効果素子において、前記下地層は、材質の異なる二以上の金属層が積層されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08
FI (4):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page