レジストパターンの形成方法及び薄膜素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240001
Publication number (International publication number)：2001066787
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】簡単な処理を行うのみで不良品の発生率が極めて低くなり歩留を大幅に向上することができるレジストパターンの形成方法及び薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】互いに積層された下層及び上層からなり断面がT字形状の2層パターンを形成した後、上層のオーバーハング部が下方に傾くように熱処理する。

Claim (excerpt)：

互いに積層された下層及び上層からなり断面がT字形状の2層パターンを形成した後、該上層のオーバーハング部が下方に傾くように熱処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

F-Term (8)：

2H096AA26 , 2H096AA30 , 2H096CA05 , 2H096GA60 , 2H096HA01 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 2H096KA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

レジストパターンの形成方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-249596 Applicant：松下電子工業株式会社
特開昭62-232124
特開昭58-002029

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