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J-GLOBAL ID：200903017747516095

放熱基板及びその製造方法

Inventor： 市田 晃 ,  長田 光生 ,  平山 典男 ,  浅井 清史 ,  前里 英俊 ,  有川 正
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998210269
Publication number (International publication number)：1999307701
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電気鉄道車両や電気自動車等に使用される,大容量整流器に搭載される大面積を備え、製造が簡単で,熱膨張率が半導体やセラミック絶縁体に近く,しかも熱伝導性の優れた大面積を有し、工程の多さ,複維さによるコストを低減でき,また,外観から分かる形状では,従来の放熱基板と明らかな相違のない経済的に有利な大面積を備えた放熱基板とその製造方法とを提供する。【解決手段】 放熱基板は、モリブデン(Mo)の圧粉体に、質量比で20〜60%の銅(Cu)を溶融、染み込ませる含浸してなるCu-Mo複合基板からなる。

Claim (excerpt)：

モリブデン(Mo)の圧粉体に、質量比で20〜60%の銅(Cu)を溶融、染み込ませる含浸してなるCu-Mo複合基板からなることを特徴とする放熱基板。

IPC (4)：

H01L 23/373 ,  B22F 3/26 ,  C22C 9/00 ,  H05K 7/20

FI (4)：

H01L 23/36 M ,  B22F 3/26 D ,  C22C 9/00 ,  H05K 7/20 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-325582   Applicant：住友電気工業株式会社
• セラミックパッケージ及び放熱基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-184629   Applicant：東京タングステン株式会社
• 熱電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-289314   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-267434